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[学位论文] 作者：曲成立,
来源：西安电子科技大学 年份：2012
高介电常数介质(高k介质)器件,材料缺陷密度高、分布复杂,导致性能退化和可靠性降低等,因此,高k介质缺陷及其表征方法研究引起重视。由于常规缺陷表征方法,如电容—电压法(Ca...
[期刊论文] 作者：刘宇安,庄奕琪,杜磊,李聪,陈华,曲成立,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2012
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿...
[期刊论文] 作者：曲成立,杜磊,刘宇安,庄奕琪,陈华,李晨,牛文娟,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2012
栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟......
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