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[期刊论文] 作者：曹先安,胡海天,
来源：自然科学进展：国家重点实验室通讯 年份：1998
用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明，长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完......
[期刊论文] 作者：曹先安,钱峰,
来源：半导体学报 年份：1997
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaA......
[期刊论文] 作者：曹先安,陈溪滢,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选......
[期刊论文] 作者：张幸福,华锷,曹先安,
来源：金融纵横 年份：2002
最近，财政部颁发了《金融企业呆账准备金提取及呆账核销管理办法》（以下简称《办法》）。新《办法》取消了呆账核销计划限制，下放了审批权限，在这种有利于消化商业银行呆账的条件下......
[期刊论文] 作者：曹先安,陈溪滢,李喆深,丁训民,侯晓远,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选......
[期刊论文] 作者：董阳,王康林,丁训民,来冰,曹先安,侯晓远,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：董阳,王康林,丁训民,来冰,曹先安,侯晓远,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：陈溪滢,曹先安,丁训民,侯晓远,陈良尧,赵国庆,
来源：物理学报 年份：1997
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶......
[期刊论文] 作者：陈溪滢,丁训民,张胜坤,张博,陆方,曹先安,朱炜,侯晓远,
来源：物理学报 年份：1997
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·......
[期刊论文] 作者：曹先安,胡海天,丁训民,陈溪滢,袁泽亮,李哲深,侯晓远,
来源：自然科学进展 年份：1998
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失...
[期刊论文] 作者：胡海天,丁训民,袁泽亮,李哲深,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世,
来源：半导体学报 年份：1998
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要......
[期刊论文] 作者：熊祖洪,刘小兵,廖良生,袁帅,何钧,周翔,曹先安,丁训民,侯晓远,
来源：半导体学报 年份：1998
本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指......
[期刊论文] 作者：刘小兵,熊祖洪,袁帅,廖良生,何钧,曹先安,缪熙月,丁训民,侯晓远,
来源：物理学报 年份：1997
报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加......
[期刊论文] 作者：陈溪滢,曹华,徐前江,王杰,朱炜,曹先安,张甫龙,丁训民,侯晓远,陆明,
来源：半导体学报 年份：1996
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的......
[期刊论文] 作者：曹先安,陈溪滢,李喆深,苏润洲,丁训民,侯晓远,钱峰,姚晓峨,陈效建,
来源：半导体学报 年份：1997
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaA......
[期刊论文] 作者：胡海天,丁训民,袁泽亮,李哲深,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世红,徐彭寿,张新夷,
来源：半导体学报 年份：1998
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要......
[期刊论文] 作者：袁泽亮,丁训民,胡海天,李哲深,杨建树,缪熙月,陈溪滢,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世红,徐彭寿,张新夷,
来源：物理学报 年份：1998
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫......
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