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[会议论文] 作者：朱巧智;刘瑞卿;王德君;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文利用X射线光电子能谱技术(XPS)对氮等离子体处理前后的SiO2/4HSiC(0001)界面样品进行分析,结果显示,氮钝化过程中,N与SiC禁带中能级位于Ec附近的siOxCyv和碳团簇缺陷发生...
[会议论文] 作者：李林茂,朱巧智,刘瑞卿,王德君,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试结果显示,氮氢混合等离子体处理10min效果最好,获得的氧化膜击穿场强为9.92MV/cm.SiO2与SiC间的势垒高度为2.71ev,同时导带附近(Ec......
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