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[期刊论文] 作者：李丹之,
来源：物理学报 年份：1999
提出了以改变半导体薄膜的掺杂浓度来调节它的等离子体频率ωｐ ，使它的高透射区移至可见光带．选择本征吸收频率在近紫外区的金属与之构成最佳的Ｄ／ Ｍ 光谱透射反射膜系，同时结合掺......
[期刊论文] 作者：李丹之,
来源：上海大学学报(自然科学版) 年份：1998
本文提出了一个包括ｐ＾＋ｎｎ＾＋结构的光生电势物理模型，并由此导出了光生电势的一般方程，该方法为二阶非齐次偏微分方程，它基于对光电流收集电极所在的受光表面层中的光生电势的分析来描写......
[期刊论文] 作者：李丹之,
来源：应用科学学报 年份：1989
半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力.由于Si-SiO_...
[期刊论文] 作者：李丹之,,
来源：物理学报 年份：2000
在一个包括p+-n-n+结构的光生电势物理模型基础上导出了光生电势的一般方程.在三种光生电势发生的特定条件下,它可简化出结场光生电势,丹倍电势和横向光生电势的函数关系式....
[会议论文] 作者：李丹之,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：李丹之,
来源：电子元件与材料 年份：1988
本文提出了钙钛矿瓷半导化的替位缺陷模型,并以此导出了半导瓷的电阻率公式。文中分析了钛铝酸钙瓷表面的吸附作用和感湿机理。文中还介绍了一种半导体瓷的极性检测法。In...
[会议论文] 作者：李丹之,蒋燕萍,
来源：第三届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：李丹之,劳凤英,
来源：第四届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：李丹之,赵冷柱,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
When a non-uniformly distributed light falls on the non-uniformly distributed semiconductor (eg. pn junction), pairs of electron-hole excited by photons will ev...
[期刊论文] 作者：李丹之,赵冷柱,劳凤英,
来源：应用科学学报 年份：1990
根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致...
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