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[学位论文] 作者：李欧鹏,,
来源：电子科技大学 年份：2017
近年太赫兹波在高速通信、安检、医疗成像、射电天文、国防等方面取得长足进展,大大刺激了各类高性能太赫兹器件的需求。在各类太赫兹系统中,放大器的输出功率、噪声系数和线...
A G-band terahertz monolithic integrated amplifier in 0.5-μm InP double heterojunction bipolar trans
[期刊论文] 作者：李欧鹏,张勇,徐锐敏,程伟,王元,牛斌,陆海燕,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Design and characterization of a G-band(140–220 GHz) terahertz monolithic integrated circuit(TMIC) amplifier in eight-stage common-emitter topology are perform...
[会议论文] 作者：谷国华,徐锐敏,王磊,李欧鹏,张健,张勇,王维波,程伟,王元,陆海燕,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1 μm InP DHBT工艺.该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽...
[期刊论文] 作者：谷国华,王磊,王维波,程伟,王元,陆海燕,李欧鹏,张健,张勇,徐锐敏,,
来源：微波学报 年份：2014
本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1μm In P DHBT工艺。该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽...
[会议论文] 作者：谷国华,徐锐敏,王磊,王维波,程伟,王元,陆海燕,李欧鹏,张健,张勇,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1 μm InP DHBT工艺.该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽度为4×1μm,电路原理图和版图联合仿真结果表明该PA在90-98GHz频带内,增益大于12dB,94G......
[会议论文] 作者：张健,徐锐敏,王磊,李欧鹏,谷国华,王志刚,王维波,程伟,康耀辉,陆海燕,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽...
[会议论文] 作者：张健,徐锐敏,王磊,王维波,程伟,康耀辉,陆海燕,李欧鹏,谷国华,王志刚,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽...
[期刊论文] 作者：张健,王磊,王维波,程伟,康耀辉,陆海燕,李欧鹏,谷国华,王志刚,徐锐敏,,
来源：微波学报 年份：2014
本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器...
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