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[学位论文] 作者：李高增,
来源： 年份：2013
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子激发能量为60meV。由于ZnO薄膜在诸多方面良好的发展潜力,近几十年来人们围绕薄膜制备、材料复合、薄膜掺杂器件应用等方面展开了广泛的研究。通过在薄膜中掺杂铝元素,可以大幅提高薄膜的导电和......
[期刊论文] 作者：赵金博,吴莉莉,邹科,于伟燕,李高增,,
来源：人工晶体学报 年份：2011
采用溶胶-凝胶法,以离子液体为辅助溶剂,在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al（ZAO）薄膜。通过X-射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）和霍尔效应等测试手段,分......
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