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[期刊论文] 作者：杜国同,,
来源：国际学术动态 年份：1998
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[会议论文] 作者：杜国同,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
根据GaN材料及蓝光发光管研制和生产的经验,MOCVD法可能更适合工业化生产和制作光电器件,因此,我们选取MOCVD方法进行ZnO薄膜的制备研究....
[会议论文] 作者：杜国同,
来源：中国物理学会半导体微腔物理及其应用学术研讨会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：李昌,杜国同,,
来源：电子科技 年份：2009
开关电源在其开关频率及倍频处，会辐射较大的电磁干扰能量，采用频率抖动技术可以将集中的干扰能量分散到较宽的频带上，从而降低干扰幅值。在对常见的RC振荡器分析的基础上，设计了......
[期刊论文] 作者：金千男,杜国同,
来源：吉林大学学报(信息科学版) 年份：2004
综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET...
[期刊论文] 作者：赵永生,杜国同,
来源：高技术通讯 年份：1998
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不为扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱，增益导引的氧化物条形结构，对该集成器......
[期刊论文] 作者：王新强,杜国同,
来源：光电子．激光 年份：2000
本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述。界面质量的研究表明 ,I...
[期刊论文] 作者：杜国同,张晓波,
来源：半导体学报 年份：1990
将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段（0.75—0.80μm）。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 Ith基模工作,4mW工作寿命已超过500...
[期刊论文] 作者：张晓波,杜国同,
来源：半导体学报 年份：1990
研制成功一种新型混合式面发射半导体激光器。它由水平端发射列阵激光器和蒸金GaAs反射抛物面构成。已实现的二维六单元面列阵激光器室温脉冲峰值功率达230mw。...
[期刊论文] 作者：王新强,杜国同,
来源：半导体光电 年份：2000
光泵浦紫外激光的获得使ＺｎＯ成为热门的新型光电材料，文章从ＺｎＯ的基本特性、光电特性、生长方法，用途和应用前景等方面综述了ＺｎＯ的最新研究及进展，并对ＺｎＯ今后的发展作了展望。......
[期刊论文] 作者：张晓波,杜国同,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1995
使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。...
[期刊论文] 作者：杜国同,高鼎三,
来源：半导体技术 年份：2004
本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲线;并讨论了三种掺杂外延层中Zn扩散速度不同...
[期刊论文] 作者：刘式墉,杜国同,
来源：激光与光电子学进展 年份：1986
第五届国际集成光学和第十一届欧洲光纤通讯会议于1985年10月1~4日在意大利烕尼斯举行。来自35个国家和地区的1136人参加了会议。会议共有249篇文章，其中特邀文章24篇,迟到文拿16篇，内容包括光纤系统、激光器、探测器、集成光电子器件、光纤传感器等。本文着重介......
[期刊论文] 作者：杜国同,姜秀英,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果。所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由301／2对AI0．1Ga0.0As/AIAs异质膜构成的分布布拉格反...
[期刊论文] 作者：赵方海,杜国同,等,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1993
作者采用耦合模理论，对自制的燕尾槽衬底内条形锁相列阵激光器的近场和远场特性进行了计算机和分析。...
[期刊论文] 作者：张源涛,马艳,张宝林,杜国同,,
来源：半导体学报 年份：2008
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响．氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体．研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是氢化以后I4峰（3．363eV）的......
[期刊论文] 作者：马艳,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在不同的温度下利用MOCVD方法生长了ZnO薄膜,并在较高温度下进行了NH3掺杂。采用X射线光电子能谱(XPS)技术分析了薄膜的性质,结果表明:生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附、O缺陷、C,H杂质、元素价态、化学键的断裂及晶粒尺寸等性质。440℃低温下生长的薄膜,C......
[期刊论文] 作者：张源涛,马艳,张宝林,杜国同,,
来源：发光学报 年份：2008
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响。氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体。研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是I4峰（3．363eV）的强度......
[会议论文] 作者：马艳,杜国同,张源涛,张宝林,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在不同的温度下利用MOCVD方法生长了ZnO薄膜,并在较高温度下进行了NH3掺杂。采用X射线光电子能谱(XPS)技术分析了薄膜的性质,结果表明:生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附...
[会议论文] 作者：黄国庆,杜国同,杜锡光,
来源：第八届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议 年份：2013
目前报道的金属酞菁近红外发光材料大多数为镧系金属酞菁,这种高成本的金属酞菁限制了它在发光领域的应用,本课题组制备了2(3),9(10),16(17),23(24)-四-(4-异丙基苯氧基)锌酞菁.一方面,锌金属离子引入大大地降低了金属酞菁的成本;另一方面,锌酞菁引入对异丙基苯......
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