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[期刊论文] 作者：张欢,王思广,陈伟,杨善潮,,
来源：核技术 年份：2015
静态随机存储器在反应堆中子辐射环境中会发生单粒子翻转(Single event upset,SEU)。钨和铜等重金属作为局部互联,在半导体中已得到广泛应用,这些重金属对中子在半导体中的单...
[期刊论文] 作者：金晓明,范如玉,陈伟,杨善潮,林东生,
来源：原子能科学技术 年份：2010
建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统，利用60Co源在20 rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电...
[期刊论文] 作者：潘洪波,欧阳晓平,张建福,杨善潮,张国光,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2008
伽玛灵敏度实验研究是ST-401闪烁薄膜探测器性能研究的一个重要组成部分。本文介绍了闪烁薄膜探测器的基本原理及其结构设计，并且在西北核技术研究所的钴-60标准辐射源上，对一...
[期刊论文] 作者：李瑞宾,陈伟,林东生,杨善潮,王桂珍,,
来源：原子能科学技术 年份：2013
体硅互补型金属-氧化物半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁，所以电路防闩锁研究意义重大。本文通过求解......
[期刊论文] 作者：齐超,林东生,陈伟,杨善潮,王桂珍,龚建成,,
来源：原子能科学技术 年份：2012
介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬...
[会议论文] 作者：王晨辉,白小燕,陈伟,杨善潮,刘岩,金晓明,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添...
[会议论文] 作者：崔帅,牛振红,杨善潮,李瑞宾,郭晓强,李斌,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
针对近年来,系统进行的辐射效应试验情况,探讨试验中如何选择试验敏感参数问题,并提出相应的改进措施。...
[会议论文] 作者：崔帅,杨善潮,李斌,牛振红,李瑞宾,郭晓强,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
针对近年来,系统进行的辐射效应试验情况,探讨试验中如何选择试验敏感参数问题,并提出相应的改进措施。...
[期刊论文] 作者：刘岩, 杨善潮, 林东生, 崔庆林, 陈伟, 龚建成, 王桂,
来源：强激光与粒子束 年份：2010
研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射...
[期刊论文] 作者：马强,金晓明,杨善潮,林东生,王桂珍,李瑞宾,
来源：现代应用物理 年份：2013
在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产...
[期刊论文] 作者：金晓明,杨善潮,白小燕,王晨辉,齐超,李瑞宾,,
来源：现代应用物理 年份：2015
根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定...
[期刊论文] 作者：齐超,林东生,陈伟,杨善潮,王桂珍,龚建成,马强,
来源：原子能科学技术 年份：2013
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在'强光一号...
[期刊论文] 作者：常冬梅,彭宏论,林东生,龚建成,韩福斌,杨善潮,关颖,
来源：核电子学与探测技术 年份：2005
使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合.在几种能量下进行剂量计能量响应实验.在...
[期刊论文] 作者：杨善潮,郭晓强,林东生,李斌,李瑞宾,白小燕,马强,,
来源：信息与电子工程 年份：2012
利用晶体管直流放大倍数的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,使用晶体管作为在线中子注量测量的探测器,建立了以计算机、GPIB总线、矩阵开关、任意波形发生器、数字示波器等硬件为基础,基于LabVIEW软件平台的中子注量在线实时监测系统。在西安脉冲反应堆中子辐......
[期刊论文] 作者：白小燕,林东生,杨善潮,李达,刘岩,金晓明,王桂珍,,
来源：半导体技术 年份：2012
在西安脉冲反应堆上,利用自建的晶体管放大倍数在线测试系统测量了型号为2N2222A的晶体管放大倍数,获得了放大倍数随中子注量的变化曲线。晶体管放大倍数的倒数和中子注量之...
[期刊论文] 作者：齐超,杨善潮,刘岩,陈伟,林东生,金晓明,王晨辉,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2016
为研究互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺静态随机处理内存（SRAM）脉冲中子辐射效应机理，对 SRAM 翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下 SRAM 翻转是单粒子翻转的叠......
[期刊论文] 作者：杨善潮,马强,金晓明,李瑞宾,林东生,陈伟,刘岩,
来源：现代应用物理 年份：2013
在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的...
[期刊论文] 作者：李瑞宾,陈伟,王桂珍,林东生,齐超,白小燕,杨善潮,
来源：北京核学会第十届(2014)核应用技术学术交流会 年份：2014
采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁.性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰、驱动能力强等要求.本文在RC延时电路的基础上设计了放电型和充电型两种辐射敏感开关,并通过瞬时电离辐射实验对两种开关的敏感度......
[期刊论文] 作者：杨善潮,马强,金晓明,李瑞宾,林东生,陈伟,刘岩,
来源：原子能科学技术 年份：2012
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在＂强光一号＂加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究,获得了单片机...
[期刊论文] 作者：金晓明,王园明,杨善潮,马强,刘岩,林东生,陈伟,
来源：原子能科学技术 年份：2012
中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离...
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