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[学位论文] 作者：杨治美,
来源： 年份：2007
纳米科学和技术是当前科学研究的热点之一，纳米材料的制备与性能表征是纳米科学和技术研究的重要领域之一。准一维纳米材料是研究电子传输行为、光学特性和力学性能等物理性质的尺寸和维度效应的理想系统。一方面是由于其结构的特殊性而表现出奇异的介观物理性质......
[期刊论文] 作者：牟维兵,龚敏,杨治美,,
来源：材料导报 年份：2009
介绍了6H—SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法，并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结。指出目前的研究主要集中于辐射效应方面，但在抗辐射加目技术方面研......
[期刊论文] 作者：罗杰斯,王磊,杨治美,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2015
本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜.采用X射线衍射(XRD)、拉...
[期刊论文] 作者：王飞,杨治美,马瑶,龚敏,,
来源：光散射学报 年份：2017
本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术。采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源,在SOI衬底上生长3C-SiC薄膜。采用X射线...
[期刊论文] 作者：李芸,杨治美,马瑶,龚敏,何飞,,
来源：光散射学报 年份：2017
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管（LED）的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明：光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫...
[期刊论文] 作者：李芸,马瑶,杨治美,赖力,黄铭敏,
来源：实验室科学 年份：2021
深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷...
[期刊论文] 作者：唐常钦,王多为,龚敏,马瑶,杨治美,
来源：电子与封装 年份：2021
研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器......
[期刊论文] 作者：林海, 袁菁, 田晓丽, 杨治美, 马瑶, 龚敏,,
来源：光散射学报 年份：2007
C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性.本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si...
[期刊论文] 作者：杨翰飞,杨治美,廖熙,龚敏,孙小松,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2011
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实现了较高质量的外延选择生长，其界面清晰，掩蔽......
[期刊论文] 作者：廖熙,杨治美,杨翰飞,龚敏,孙小松,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜．在此反应过程中，H2作为稀释与运载气体，CH4......
[期刊论文] 作者：王靖宇,邓春纲,马瑶,李芸,杨治美,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2017
本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si（111）衬底反应,制备3C-SiC薄膜。通过X射线衍射分析仪、激光...
[期刊论文] 作者：曹群,牟维兵,杨翰飞,杨治美,龚敏,,
来源：半导体光电 年份：2010
对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以...
[期刊论文] 作者：杨治美,高旭,李芸,黄铭敏,马瑶,龚敏,
来源：电子与封装 年份：2022
第三代宽禁带半导体碳化硅（Si C）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了Si C功率器件辐照效应发展历程和辐照效应，梳理轻离（粒）子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律......
[期刊论文] 作者：程顺昌,杨治美,钟玉杰,何毅,孙小松,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2009
采用LPCVD技术，以CH4和H2混合气体为反应源气，在n—Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体，CH4作为碳源，硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析......
[期刊论文] 作者：孙小松, 余洲, 王帅, 杨治美, 晋勇, 何毅, 杨文彬,,
来源：半导体光电 年份：2005
利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微...
[期刊论文] 作者：孙小松,余洲,王帅,杨治美,晋勇,何毅,杨文彬,龚敏,
来源：半导体光电 年份：2005
利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征。扫描电子显微...
[期刊论文] 作者：谢宛玲,杨治美,钟志亲,吴健,林海,马瑶,袁菁,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2006
本文研究了n—GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示，高温下进行电子辐照。界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复；器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响......
[期刊论文] 作者：杨治美,张云森,廖熙,杨翰飞,晋勇,孙小松,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2009
本文采用LPCVD技术在高温条件下，利用甲烷和氢气混合气体作为碳源，在n—Si（111）衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和PL研究发现：温度对3C—SiC薄膜的形貌和晶体质...
[会议论文] 作者：杨治美,廖熙,杨翰飞,龚敏,张云森,晋勇,孙小松,
来源：第十五届全国光散射学术会议 年份：2009
...
[期刊论文] 作者：明思汀,王多为,唐常钦,马瑶,李芸,杨治美,黄铭敏,龚敏,
来源：电子与封装 年份：2020
研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件...
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