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[期刊论文] 作者：杨翰飞,,
来源：好家长 年份：2014
有一件事我无法忘却,它发生在我的学校。一个夏天的中午,我趴在桌上,一动也不动。我在学校里吃饭,老师不见我来盛饭,感到很奇怪。同学们都盛完饭了,一位同学过来问我怎么了,...
[期刊论文] 作者：王海时,杨翰飞,,
来源：法制与社会 年份：2017
本文在分析总结国内外高校知识产权教育现状的基础上,基于理工科学生的培养性质和目标,对高校理工科知识产权教育的目标设定、课程设置、教学内容、教学模式进行研究和探索。...
[期刊论文] 作者：杨翰飞,杨治美,廖熙,龚敏,孙小松,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2011
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实现了较高质量的外延选择生长，其界面清晰，掩蔽......
[期刊论文] 作者：廖熙,杨治美,杨翰飞,龚敏,孙小松,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜．在此反应过程中，H2作为稀释与运载气体，CH4......
[期刊论文] 作者：曹群,牟维兵,杨翰飞,杨治美,龚敏,,
来源：半导体光电 年份：2010
对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以...
[期刊论文] 作者：杨治美,张云森,廖熙,杨翰飞,晋勇,孙小松,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2009
本文采用LPCVD技术在高温条件下，利用甲烷和氢气混合气体作为碳源，在n—Si（111）衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和PL研究发现：温度对3C—SiC薄膜的形貌和晶体质...
[会议论文] 作者：杨治美,廖熙,杨翰飞,龚敏,张云森,晋勇,孙小松,
来源：第十五届全国光散射学术会议 年份：2009
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