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[学位论文] 作者：林洁馨,,
来源：贵州大学 年份：2019
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[学位论文] 作者：林洁馨,,
来源：贵州大学 年份：2007
半导体功率器件是电子信息产品的基础元器件，用来输出各种变化的功率信号以便推动负载工作。但是功率集成电路的功耗较大，管子消耗的功率越大，基片温度就越高，散热是这种电路发展......
[期刊论文] 作者：林洁馨,
来源：读与写（教师） 年份：2018
劳技教育是全面贯彻党的教育方针的基本要求，是全面实施素质教育的重要依托。近些年来，虽然劳技教育在全国各中小学的努力探索下已经取得了一定成绩，但是从整体上来看，在推进中学......
[期刊论文] 作者：林洁馨 李良荣,
来源：课程教育研究·上 年份：2014
【摘要】本文针对C语言程序设计教学中存在的各种问题进行了分析，结合贵州大学电子大类专业学生的特点及贵州大学实验室的具体状况，提出了一种实验式教学模式。通过各种统计数据分析，实验式教学模式能提高教学效果，让学生在老师的引导下能更加主动地学习。 【关......
[期刊论文] 作者：赵朋,林洁馨,傅兴华,,
来源：唐山学院学报 年份：2016
利用COMSOL软件建立了三维集成电路散热模型并进行仿真。仿真结果显示,在元胞块之间插入TSV网络可以有效将三维集成电路温度控制在一个安全范围之内,而且随着TSV半径的增大,...
[期刊论文] 作者：林洁馨,杨发顺,马奎,龚红,,
来源：半导体技术 年份：2010
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条...
[期刊论文] 作者：马奎,杨发顺,林洁馨,傅兴华,,
来源：微电子学与计算机 年份：2013
当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出，这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度．为解决现有BCD工艺存在的缺陷，提出了一种集成有高压VDMO......
[期刊论文] 作者：刘洪,林洁馨,梁建娟,杨平,
来源：高教学刊 年份：2020
文章论述了在电子信息类专业中开展“数字信号处理”课程双语教学的重要性和必要性,详细分析了“数字信号处理”课程双语教学中存在的问题,通过在教材选用、教学内容、教学模...
[期刊论文] 作者：马奎,傅兴华,林洁馨,杨发顺,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was proposed.Based on this semi-insulation structure,an advanced BCD...
[期刊论文] 作者：刘洪,林洁馨,梁建娟,杨平,
来源：教育教学论坛 年份：2022
论述了电子信息类专业中“数字信号处理”课程的重要性,详细分析了“数字信号处理”课程教学中存在的问题,探讨了案例式教学法在“数字信号处理”课程中的设计思路,并针对课程中的主要教学内容给出了具体的教学实施方案,最后选取课程中比较典型的两个工程案例,......
[期刊论文] 作者：林洁馨, 杨发顺, 马奎, 丁召, 傅兴华,,
来源：现代电子技术 年份：2019
基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯...
[期刊论文] 作者：杨发顺,林洁馨,马奎,丁召,傅兴华,
来源：微电子学 年份：2009
介绍了一种大电流高精度集成汽车电压调节器的设计原理及电路结构。该集成汽车电压调节器由基准电压源、比较放大器、保护电路和调整管等单元组成。该电路采用硅双极型对通隔...
[期刊论文] 作者：杨发顺,林洁馨,马奎,丁召,傅兴华,,
来源：半导体技术 年份：2009
介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设...
[期刊论文] 作者：杨发顺,马奎,林洁馨,丁召,傅兴华,,
来源：半导体技术 年份：2010
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,...
[期刊论文] 作者：林洁馨,杨发顺,马奎,唐昭焕,傅兴华,,
来源：现代电子技术 年份：2016
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热...
[会议论文] 作者：刘武, 李彬, 林洁馨, 陈德群, 肖龙忠,
来源：教师教学能力发展研究》科研成果集（第十一卷 年份：2017
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