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[学位论文] 作者：柯逸辰,,
来源： 年份：2013
半导体制造工艺的飞速发展使器件特征尺寸不断缩小、芯片集成度持续提高，但随之而来的电路和器件的可靠性问题也日益严峻。静电放电（ESD）是当前半导体工业中最严重的可靠性问题......
[期刊论文] 作者：柯逸辰,高国平,顾晓峰,,
来源：微电子学 年份：2012
针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用N...
[期刊论文] 作者：柯逸辰,顾晓峰,朱科翰,高国平,,
来源：微电子学 年份：2013
基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流...
[期刊论文] 作者：梁海莲,杨兵,顾晓峰,柯逸辰,高国平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较...
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