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[学位论文] 作者：梁婷伟,
来源：河北工业大学 年份：2020
近几年来,随着极大规模集成电路的飞速发展,工艺技术节点降至7 nm及以下,集成电路制造工艺越来越复杂。传统的插塞金属钨由于其沉积过程中急剧增长的电阻已不能满足现代制造工艺的需求,可使用电阻率较低（6.63μΩ·cm）的新型插塞金属钴（Co）代替。化学机械平坦化（CMP）......
[期刊论文] 作者：梁婷伟, 王胜利, 王辰伟, 刘凤霞,,
来源：半导体技术 年份：2004
研究了抛光液pH值、酒石酸钾（PTH）、双氧水（H2O2）和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系。采用正交抛光实验探讨了......
[期刊论文] 作者：田骐源, 王胜利, 肖悦, 王辰伟, 刘凤霞, 梁婷伟,,
来源：表面技术 年份：2018
目的提高Co在超大规模集成电路全局化学机械抛光过程中的去除速率及Co/Ti去除选择比,并对去除机理进行详细描述。方法研究不同浓度的磨料、多羟多胺络合剂(FA/OII)、氧化剂等...
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