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[会议论文] 作者：殷士端,
来源：中国物理学会现代物理实验技术会议 年份：1985
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[期刊论文] 作者：郑丽荣,殷士端,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1991
对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×1014-7×1015.cm-2...
[会议论文] 作者：朱沛然,刘家瑞,殷士端,
来源：中国电子显微镜学会第二届全国微束分析学术会 年份：1988
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[期刊论文] 作者：卢励吾,许振嘉,殷士端,
来源：半导体学报 年份：1990
对经不同方式处理的注锌硅样品(注入剂量1×10~(14)-1×10~(17)cm~(-2),注入能量170keV和180keV)的物理行为进行了研究。样品的CWCO_2激光退火和快速淬火处理是在特定的实验...
[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,陆珉华,
来源：半导体学报 年份：1987
在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火...
[期刊论文] 作者：朱沛然,刘家瑞,张敬平,殷士端,
来源：半导体学报 年份：1987
本文介绍了我国用于微区分析的MeV离子微探针设备及其在半导体集成电路中的应用,能量为2MeV的He~+束通过一套限束系统,然后由四单元四极磁透镜聚焦到样品表面的束直径为3μm,...
[期刊论文] 作者：李宝骐,王佑祥,殷士端,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1987
用AES、XPS、RBS和X射线衍射等技术研究了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti/Si和 Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成.在 500—600℃稳态热退火条件下,Ti/Si系统形成 Ti_5Si_3、TiS...
[期刊论文] 作者：刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰,殷士端,
来源：半导体学报 年份：1998
用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明，在１０＾１４￣１０＾１７／ｃｍ＾２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长，中子辐照效应对φ１／２没有影响。......
[期刊论文] 作者：殷士端,吴春武,张敬平,刘家瑞,朱沛然,
来源：半导体学报 年份：1989
本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生...
[期刊论文] 作者：范仁永,郁元桓,褚一鸣,殷士端,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1987
用炉退火和快速红外退火对经过Si离子注入的厚度为0.3—0.54微米的蓝宝石上硅膜(SOS)进行固相外延,并用离子背散射沟道技术和剖面电子显微技术研究其晶体质量的改善.用俄歇能...
[期刊论文] 作者：牟善明,王佑祥,殷士端,张敬平,刘家瑞,
来源：半导体学报 年份：1990
用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能...
[期刊论文] 作者：谢葆珍,刘世杰,张敬平,殷士端,顾诠,戴爱平,
来源：半导体学报 年份：2004
用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相...
[期刊论文] 作者：吴春武,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,朱沛然,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形...
[期刊论文] 作者：邢益荣,崔玉德,殷士端,张敬平,李侠,朱沛然,徐田冰,
来源：半导体学报 年份：1995
利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱和俄歇电子能谱分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明：这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排......
[期刊论文] 作者：王豫生, 阎建华, 郑胜男, 殷士端, 张敬平, 顾诠, 代爱平,
来源：核技术 年份：1987
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[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾铨,钟士谦,王振明,谢葆珍,刘世杰,
来源：微细加工技术 年份：2004
将能量为150KeV、剂量为10~(14)～17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用～1.8MeV的He~+束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布...
[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万,
来源：半导体学报 年份：1987
用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)...
[期刊论文] 作者：殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万,
来源：半导体学报 年份：1987
用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格...
[期刊论文] 作者：肖光明,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,丁爱菊,周均铭,朱沛,
来源：半导体学报 年份：1990
本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注...
[期刊论文] 作者：肖光明,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,丁爱菊,周均铭,朱沛然,
来源：半导体学报 年份：1990
本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注...
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