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[期刊论文] 作者：江若琏,李健,
来源：半导体学报 年份：1996
本文首次报道了Ａｌ／ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ肖特基接触的制备与电学性质，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变外处延层采用快速加热，超低压化学相沉积方法生长，实验表明，改变Ｇｅ组分ｘ的大小可以调节肖特基垒高度。......
[期刊论文] 作者：江若琏,郑有料,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬...
[期刊论文] 作者：江若琏,顾书林,
来源：高技术通讯 年份：1996
采用快速加热，超低压化学气相淀积方法，在－Ｇｅ衬底上外延生长－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３－１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器，其主要参数性能优于该波段的同类型Ｇｅ探测器。......
[期刊论文] 作者：江若琏,罗志云,
来源：光电子．激光 年份：2000
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ型红外探测器。其波长范围为０．７０～１．５５μｍ，峰值波长为０．９６～１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．３μｍ处的响应度高达０．１５Ａ／Ｗ（－５Ｖ）；讨论了Ｇｅ组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参......
[期刊论文] 作者：江若琏,罗志云,
来源：半导体光电 年份：2000
采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的......
[期刊论文] 作者：江若琏,阵卫民,
来源：世界产品与技术 年份：1999
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[期刊论文] 作者：赵作明,江若琏,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触，对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的欧姆接触率７．５＊１０＾－３Ω．ｃｍ＾２，而Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触在６５０℃氮气气氛退火２０ｓ取得最......
[期刊论文] 作者：江若琏,陈卫民,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：2000
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[期刊论文] 作者：罗志云,江若琏,
来源：高技术通讯 年份：2000
提出了一种新结构Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光电探测器－能隙阶梯缓变结构的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＰＩＮ新近红外光电探测器。理论分析表明，能隙缓变增大了载流子的离化率。价带的不连续则有利于空穴离化，从而对载流子的收集有利，可获......
[期刊论文] 作者：江若琏,刘卫平,
来源：半导体光电 年份：1997
对采用快速加热、超低压－化学汽相沉积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＶＣＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０＾１４ｃｍ＾－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热退为（ＲＴＡ）稳态炉退火。结果表明，ＲＴＡ优于稳态炉退......
[期刊论文] 作者：江若琏,席冬娟,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜，经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应，３６３ｎｍ附近有陡峭的截止边，３５７ｎｍ波长处５Ｖ偏压下的响应度高达６．９Ａ／Ｗ。响应度......
[会议论文] 作者：江若琏,刘卫平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：郑有炓,江若琏,
来源：半导体技术 年份：1982
本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能级、SiO_2中的可动离子——H~+、Na~+、K~+...
[期刊论文] 作者：席冬娟,江若琏,等,
来源：高技术通讯 年份：2000
报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫钙探测器的制备及其光电流性质，探测器的光谱响应表明，这种GaN探测器在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，36nm附近陡峭的截止边，在357......
[期刊论文] 作者：江若琏,江宁,陈庆华,
来源：半导体光电 年份：1991
测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)...
[期刊论文] 作者：江若琏,江宁,陈庆华,,
来源：半导体光电 年份：1991
测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)...
[期刊论文] 作者：江若琏,夏鑫,郑有炓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开始龟裂,而退火温度高达750℃才能开始激活。...
[期刊论文] 作者：江若琏,罗志云,陈卫民,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：江若琏, 郑有炓, 王仁康,
来源：半导体学报 年份：1988
在掺Fe的＜100＞晶向半绝缘 InP上,用 TEOS为源的 PECVD SiO2作为栅氧化层,以Si+注入 S.I.InP形成源、漏区,研制成基于 InP/SiO2界面的n沟增强型 InP MISFET.其饱和区跨导 gm为6.4mS/mm,沟道有效电子迁移率 μeff为1400cm~2/V·S,并对 InP MISFET特性及漏电流慢漂移......
[期刊论文] 作者：江若琏,刘建林 ,李海峰,郑厚植,
来源：半导体学报 年份：1994
采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）．Si / Si0.7Ge0.3 / Sip-......
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