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[期刊论文] 作者：嵇妮娅,汤茗凯,唐世军,,
来源：电子与封装 年份：2017
报告了采用凹槽栅场板结构的GaN微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8mm和2.4mm栅宽的管芯。采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380u...
[期刊论文] 作者：汤茗凯,唐世军,顾黎明,周书同,
来源：电子与封装 年份：2021
研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管。设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4 mm×12 mm。利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技...
[期刊论文] 作者：徐永刚, 顾黎明, 汤茗凯, 唐世军, 陈晓青, 刘柱, 陈,
来源：电子与封装 年份：2018
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、...
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