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[学位论文] 作者：潘尧波,
来源：北京大学 年份：2007
Ⅲ族氮化物材料物理和器件物理的研究，在制备高功率蓝光、白光和紫外光发光二极管(LED)，短波长激光器，紫外光探测器及高温电子器件等方面有着广泛的应用背景和深刻的物理意义，开......
[期刊论文] 作者：王欢,姚淑德,潘尧波,张国义,,
来源：物理学报 年份：2007
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高...
[期刊论文] 作者：陆敏,杨志坚,潘尧波,陆羽,陈志忠,张国义,
来源：稀有金属 年份：2007
采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发...
[期刊论文] 作者：苏月永, 陈志涛, 徐科, 郭立平, 潘尧波, 杨学林, 杨,
来源：发光学报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：齐胜利, 陈志忠, 潘尧波, 郝茂盛, 邓俊静, 田朋飞, 张国,
来源：半导体技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：王彦杰,杨子文,廖辉,胡成余,潘尧波,杨志坚,章蓓,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2007
运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制...
[期刊论文] 作者：陈志涛,徐科,杨志坚,苏月永,潘尧波,杨学林,张酣,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用高分辨X射线衍射仪（XRD）分析了长时间退火前后的GaN样品，通过对各个样品的（0002）面摇摆曲线进行线形拟合及分析，发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大，但面外倾斜角（tilt）的值却变......
[期刊论文] 作者：杨志坚,胡晓东,章蓓,陆敏,陆羽,潘尧波,张振声,任谦,徐军,
来源：发光学报 年份：2005
在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中...
[期刊论文] 作者：杨志坚,胡晓东,章蓓,陆敏,陆羽,潘尧波,张振声,任谦,徐军,
来源：发光学报 年份：2004
在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中...
[期刊论文] 作者：魏启元,李倜,王彦杰,陈伟华,李睿,潘尧波,徐科,章蓓,杨志,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合...
[期刊论文] 作者：许谏,沈波,许福军,苗振林,王茂俊,黄森,鲁麟,潘尧波,杨志,
来源：半导体学报 年份：2007
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子...
[期刊论文] 作者：齐胜利,陈志忠,潘尧波,郝茂盛,邓俊静,田朋飞,张国义,颜建,
来源：半导体技术 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/...
[期刊论文] 作者：苏月永,陈志涛,徐科,郭立平,潘尧波,杨学林,杨志坚,张国义,
来源：发光学报 年份：2006
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用，采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构......
[期刊论文] 作者：魏启元,李倜,王彦杰,陈伟华,李睿,潘尧波,徐科,章蓓,杨志,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合...
[期刊论文] 作者：陆敏，杨志坚，潘尧波，陆羽，陈志忠，张国义，LuMin，YangZhijian，PanYaobo，LuYu，ChenZhizhong，ZhangGuoyi,
来源：稀有金属 年份：2007
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[会议论文] 作者：方浩,桑立雯,齐胜利,张延召,杨学林,杨志坚,郝茂盛,潘尧波,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之......
[期刊论文] 作者：陈伟华,胡晓东,章蓓,黎子兰,潘尧波,胡成余,王琦,陆羽,陆,
来源：半导体学报 年份：2005
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构...
[期刊论文] 作者：陈伟华,胡晓东,章蓓,黎子兰,潘尧波,胡成余,王琦,陆羽,陆,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：王彦杰,胡晓东,杨子文,廖辉,胡成余,潘尧波,杨志坚,张蓓,张国义,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发...
[会议论文] 作者：魏启元,胡晓东,李倜,王彦杰,陈伟华,李睿,潘尧波,徐科,章蓓,杨志坚,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四...
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