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[期刊论文] 作者：熊大菁,
来源：半导体技术 年份：1997
本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。......
[期刊论文] 作者：熊大菁,侯苇,
来源：半导体技术 年份：1998
在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。In the preparation of ultra-thin grid diel...
[期刊论文] 作者：凌浩,熊大菁,
来源：半导体技术 年份：1992
在离子注入埋层的硅片上,以SiO2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注...
[期刊论文] 作者：王永顺,熊大菁,
来源：半导体学报 年份：1990
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,...
[期刊论文] 作者：熊大菁,侯伟,
来源：半导体技术 年份：1998
在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。...
[期刊论文] 作者：熊大菁,项雪松,
来源：半导体技术 年份：1999
研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。...
[期刊论文] 作者：熊大菁,侯苇,
来源：半导体技术 年份：1998
制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。...
[期刊论文] 作者：熊大菁,江思思,
来源：半导体技术 年份：1997
超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。......
[会议论文] 作者：项雪松,熊大菁,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：熊大菁,江思思,姜宏,
来源：半导体技术 年份：1997
超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｉｎｇ——ＲＴＰ）后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容、ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中作栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实用价值。The electrical pro......
[期刊论文] 作者：王永顺,熊大菁,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1990
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,...
[期刊论文] 作者：朱钧,靳东明,熊大菁,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1985
制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程...
[期刊论文] 作者：吾立峰,熊大菁,顾祖毅,靳东明,刘理天,何小寅,
来源：半导体学报 年份：1988
本文对超薄热氮化SiO_2膜(～100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生...
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