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[期刊论文] 作者：牛智红,
来源：教学与管理 年份：2004
在物理实验中,单次测造成的误差没有统一的规律,只能通过估计最大误差的方法来获得其误差,进而计算最终结果的误差.……...
[学位论文] 作者：牛智红,
来源：山西大学 年份：2006
本文对单分子光子源光背景信号进行了研究。文章主要包括以下几个方面： (1)以具有简单三能级结构染料分子的单量子系统为研究对象，用带有边界条件的速率方程来反映低功率单......
[期刊论文] 作者：牛智红,肖连团,
来源：山西电子技术 年份：2006
通过实时采集单光子计数器响应输出的时间分辨每个同步事件研究光场的光子统计分布特性。通过最佳信号噪声比分析，讨论了单分子光辐射在具有时间均匀分布背景信号时对同步采样......
[期刊论文] 作者：牛智红,任正伟,贺振宏,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构。InAs纳米线(QWRs)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔...
[期刊论文] 作者：牛智红,任正伟,贺振宏,
来源：光子学报 年份：2008
研究了GaAs高指数面（331）A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化．原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下，GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加，增加外延......
[期刊论文] 作者：牛智红,任正伟,贺振宏,
来源：山西大学学报：自然科学版 年份：2005
提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点......
[期刊论文] 作者：牛智红,任正伟,贺振宏,,
来源：光子学报 年份：2008
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明:在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增...
[期刊论文] 作者：牛智红,任正伟,李树英,贺振宏,,
来源：太原科技 年份：2006
从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结...
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