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[期刊论文] 作者：林健,兰天平,牛沈军,,
来源：电子工业专用设备 年份：2010
低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式...
[期刊论文] 作者：王建利,牛沈军,兰天平,周春峰,孙强,,
来源：科技创新导报 年份：2010
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方...
[期刊论文] 作者：王云彪,赵权,牛沈军,吕菲,杨洪星,,
来源：半导体技术 年份：2009
伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,...
[期刊论文] 作者：王建利,孙强,牛沈军,兰天平,李仕福,周传新,刘津,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
用于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度（EPD）。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼（VB）法分别得到......
[期刊论文] 作者：Tatartchenko Vitali,刘一凡,吴勇,周健杰,孙大伟,袁军,朱枝勇,Smirnov Pavel,Rusanov Artem,牛沈军,李东振,宗志远,陈晓飞,,
来源：物理学报 年份：2013
本文报道了一种新的物理现象—一级相变时(熔融结晶,蒸气冷凝或沉淀)的红外特征辐射.实验结果根据相应的理论模型来进行分析.此理论模型是基于一个论断,那就是粒子(原子,分子...
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