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[期刊论文] 作者：郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性．功率测试......
[期刊论文] 作者：郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德,
来源：半导体学报 年份：2005
采用发射极-基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP／GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load—pull...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2005
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片loa...
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