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[学位论文] 作者：王勇淮,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
GaN基材料作为第三代半导体的典型代表,具有宽禁带、高电子漂移饱和速度、高击穿电场、低介电常数等优点,被广泛应用于光电、高频、大功率器件制作等领域。其中,AlGaN合金材...
[期刊论文] 作者：刘红侠,卢风铭,王勇淮,宋大建,武毅,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2011
为了能够方便精确地研究AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质，提出一种多子带二维电子气的解析模型．利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解．通过模......
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