AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaorongqing

【摘要】

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为了能够方便精确地研究AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质，提出一种多子带二维电子气的解析模型．利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解．通过模

【作者】

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刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅

【机构】

：

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2011年5期

【关键词】

：

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气多子带模型能级分布 AlGaN/GaN heterostructure two-dimensional ele

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为了能够方便精确地研究AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质，提出一种多子带二维电子气的解析模型．利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解．通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变．与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较，此模型能够给出精确的结论，并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点．

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