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[期刊论文] 作者：王济身,许春芳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
由辉光放电分解硅烷淀积的氢化非晶态薄膜中都包含相当数量的氢,含氢量的多少直接对薄膜的结构、性质及稳定性有很大的影响。利用核磁共振(1H NMR)可以给出有关氢的局部...
[期刊论文] 作者：潘光令,王云珍,王济身,
来源：电子科学学刊 年份：1991
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程...
[期刊论文] 作者：潘尧令,王云珍,王济身,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一...
[会议论文] 作者：王济身,许春芳,金克彪,
来源：中国物理学会第七届全国半导体物理会议 年份：1989
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[期刊论文] 作者：潘尧令,王云珍,王济身,
来源：电子科学学刊 年份：1991
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程...
[期刊论文] 作者：王济身,许春芳,陈琳,范焕章,,
来源：上海师范大学学报(自然科学版) 年份：1980
用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减少了表面电荷和界面态密度。还比较了铝淀积...
[期刊论文] 作者：许春芳,陈永兴,陈琳,王济身,周文华,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
等离子体加工技术已成为半导体器件,尤其是LSI科研和生产中不可缺少的工艺,因而等离子体对半导体器件的影响已是人们十分关注的问题。等离子体对半导体表面的影响与一般射线...
[期刊论文] 作者：王济身,许春芳,赵成斌,洪建彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The thesis introduces the principle and course of a-Si:H films deposited with PECVD technique, the determination of characteristics of photoconductivity, and th...
[期刊论文] 作者：王济身,许春芳,金克彪,赵成斌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
由辉光放电分解硅烷淀积的氢化非晶态薄膜中都包含相当数量的氢,含氢量的多少直接对薄膜的结构、性质及稳定性有很大的影响。利用核磁共振(1H NMR)可以给出有关氢的局部环境...
[期刊论文] 作者：王济身,徐静芳,陈建武,邹世昌,林成鲁,倪如山,,
来源：电子学报 年份：1984
本文测量了硼离子注入多晶硅薄膜经热退火及激光退火后的电学性质,并用晶界陷阱模型进行了理论计算。计算结果与实验符合。发现经激光退火后,晶粒变得足够大时迁移率最小值发...
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