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[学位论文] 作者：王颜彬,,
来源：长春理工大学 年份：2018
ZnO禁带宽度为3.37 eV、室温激子束缚能为60 meV,在低阈值、高效率的紫外电致发光LED以及激光器件方面有较好的应用前景。但是高结晶质量的P型ZnO薄膜难以制备,如何获得高紫...
[期刊论文] 作者：赵海霞, 方铉, 王颜彬, 房丹, 李永峰, 王登魁, 王晓,
来源：中国光学 年份：2004
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS...
[期刊论文] 作者：赵海霞, 方铉, 王颜彬, 房丹, 李永峰, 王登魁, 王晓华,,
来源：中国光学 年份：2019
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[期刊论文] 作者：王颜彬,方铉,王登魁,唐吉龙,房丹,王晓华,魏志鹏,
来源：电子世界 年份：2018
ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测器件中。在第三代半导体材料中,相比GaN材料...
[期刊论文] 作者：赵海霞,方铉,王颜彬,房丹,李永峰,王登魁,王晓华,楚学影,,
来源：中国光学 年份：2019
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS...
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