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[学位论文] 作者：甘兴源,
来源：中国科学院大学 年份：2014
多结太阳能电池是新能源领域的研究热点，而隧道结作为多结电池中连接子电池的关键结构，其性能的好坏直接影响电池的效率;此外，在实现多结太阳能电池理想的带隙匹配上，能带和晶格......
[会议论文] 作者：甘兴源,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：甘兴源,郑新和,吴渊渊,王海啸,王乃明,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2014
本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载......
[期刊论文] 作者：王海啸, 郑新和, 吴渊渊, 甘兴源, 王乃明, 杨辉,,
来源：物理学报 年份：2013
使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格...
[会议论文] 作者：王海啸,郑新和,吴渊渊,甘兴源,王乃明,杨辉,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
使用In、N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一[1].同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与GaAs衬底晶格匹配的优势[2],基于GaAs衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.......
[期刊论文] 作者：王海啸, 郑新和, 文瑜, 吴渊渊, 甘兴源, 王乃明, 杨,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2013
使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格...
[期刊论文] 作者：郑新和,刘三姐,夏宇,甘兴源,王海啸,王乃明,杨辉,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
We report a GaInP/GaAs tandem solar cell with a novel GaAs tunnel junction (TJ) with using tellurium (Te) and magnesium (Mg) as n- and p-type dopants via dual-f...
[期刊论文] 作者：吴渊渊,郑新和,王海啸,甘兴源,文瑜,王乃明,王建峰,杨辉,,
来源：物理学报 年份：2013
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587...
[期刊论文] 作者：王乃明,郑新和,陈曦,甘兴源,王海啸,李宝吉,卢建娅,杨辉,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2015
本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继......
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