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[会议论文] 作者：田金法,
来源：2001中国药学会学术年会 年份：2001
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[会议论文] 作者：田金法,高敏,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：田金法,童华,肖君,孔光临,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
a-Si:H films were prepared by the mercury sensitized photo-CVD with SiH4 flow. The maximum deposition rate of 142A/min has been obtioned. The maximum ratio of t...
[期刊论文] 作者：吴金良,钟兴儒,陈诺夫,田金法,林兰英,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响 ,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流 ,采用这种方式...
[期刊论文] 作者：杨小平,张伟,陈宗圭,王凤莲,田金法,邓元明,郑厚植,高旻,,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构。...
[期刊论文] 作者：杨小平,张伟,陈宗圭,王凤莲,田金法,邓元明,郑厚植,高旻,段晓峰,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还......
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