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[期刊论文] 作者：百漱克己,吉成秀树,丁天怀,,
来源：半导体设备 年份：2004
1.前言自从半导体平面制造技术发展以来,主要使用的是接触式掩模对准仪。集成电路从大规模发展到超大规模,其集成度迅速提高。而用于制做这些器件的光学刻蚀技术也渐渐到了...
[期刊论文] 作者：百漱克己,奥津和久,吉成秀树,丁天怀,,
来源：半导体设备 年份：1979
在新兴的集成电路技术中技术革新搞得很快,而且经济效果也很显著。由于硅片尺寸的增大以及图形尺寸的微细化引起了集成度的不断提高,这就提出了降低器件成本的问题,当然这些...
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