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[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,
来源：半导体学报 年份：1999
本文模拟计算了ＣｄＴｅ中Ｔｅ沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ的吸收和Ｔｅ沉淀相的散射吸收消光作用。结合光致发光和电学特性......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,
来源：半导体学报 年份：1999
以超高纯Ｔｅ和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶，改进的ＰＶＴ有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性利用电子......
[期刊论文] 作者：杨柏染,石川幸雄,
来源：半导体学报 年份：1999
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因。结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,一色实,
来源：半导体学报 年份：1999
以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,一色实,
来源：半导体学报 年份：1999
本文模拟计算了ＣｄＴｅ 中Ｔｅ 沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ 的吸收和Ｔｅ 沉淀相的散射吸收消光作用．结合光致发光和电学特......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,一色实,
来源：半导体学报 年份：1999
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光......
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