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本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因。结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成。它们具有两个起因，其中能量较低的一个是Ｃｕｃｄ，另一个与Ｃｄ空位Ｖｃｄ有关。
CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究
【摘 要】
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本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因。结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,日本东北大学素材工学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年7期
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