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[会议论文] 作者：竺士炀,李金华,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张苗,竺士炀,
来源：物理 年份：1997
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术，近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术－智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术，它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛盾带来了新的希望，将会有力地堆动ＳＯＩ技术的进一......
[期刊论文] 作者：竺士炀,刘剑侠,
来源：半导体学报 年份：1996
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ材料，注入不同剂的Ｆ并退火，其电容经＾６０Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层控穴阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的的抗电离辐照能力。......
[期刊论文] 作者：竺士炀,C.Detaveriner,等,
来源：半导体学报 年份：2002
通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子显微术（BEEM）及其谱线（BEES）测量了CoSi2/Si接触......
[期刊论文] 作者：竺士炀,高剑侠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
用厚膜ＢＥＳＯＩ制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温￣２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,
来源：微电子学 年份：1994
目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：1996
通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的ＳＩＭＯＸ材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。...
[期刊论文] 作者：严荣良,竺士炀,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1995
将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。......
[期刊论文] 作者：黄宜平,竺士炀,
来源：半导体学报 年份：1998
研究了在硅片同采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应，结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用，采用ＸＴＥＭ分孔硅和衬底硅之间的界面特性......
[期刊论文] 作者：竺士炀,黄宜平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
在ＳＩＭＯＸ材料的背面成功地制备了多孔硅层，再在正面故意注入１×１０＾１５ｃｍ＾－２剂量的铜杂质。经９００℃退火，二次离子质谱测试表明铜杂质能穿过埋层ＳｉＯ２并在背在多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜分析了......
[期刊论文] 作者：竺士炀,黄宜平,
来源：半导体学报 年份：1999
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术成功地制备了φ７６ｍｍ的ＳＯＩ材料，用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级。ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,
来源：半导体学报 年份：1996
ＳＩＭＯＸ材料中隐埋氧化层的针孔漏电可使器件完全失效，本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ材料ＢＯＸ中的针孔密度并用改进的二维程序定性分析了经起针孔的杂质临界颗粒尺寸。......
[会议论文] 作者：竺士炀,黄宜平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：黄宜平,竺士炀,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量，提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI（Sillicon On Insulator) 材料，并用该材料成功地研制了双岛－梁－膜结构的S...
[期刊论文] 作者：竺士炀,茹国平,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过硅（111）衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层不同退火温度的固相反应，在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜，用电流－电压和电容－电压（I－V／C－V）技术在90K到室温的温度范围内测量了CoSi2/......
[期刊论文] 作者：竺士炀,李爱珍,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法，在高掺杂的P型硅（111）衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面处延生长了一层高质量的单......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,李金华,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ倒相器在不同偏置条件下进行了＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量副照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,李金华,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了＾６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，并同通常的体硅ＮＭＯＳ的辐照效应作了比较，分析了引起阈值电压漂移的两个因素：氧化层电荷和界面态电荷，提出了......
[期刊论文] 作者：李金华,林成鲁,竺士炀,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,李金华,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1996
ＴｒａｎｓｉｅｎｔｒａｄｉａｔｉｏｎｅｆｆｅｃｔｓｉｎＣＭＯＳｉｎｖｅｒｔｅｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｏｎＳＩＭＯＸａｎｄＢＥＳＯＩｗａｆｅｒｓＺｈｕＳｈｉ－Ｙａｎｇ（竺士炀），ＬｉｎＣｈｅｎｇ－Ｌｕ（林成鲁）（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆ...Transient radiation effects in CMOs inverters fabricated on SIMOX and BESO IwafersZhu Shi-Yang (Zhu Shi), LinCheng-Lu (Lin Ch......
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