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[期刊论文] 作者：盛玲,梁士明,王常春,孔宪章,罗兴碧,
来源：山东化工 年份：2021
氧化铟是一种重要的n型半导体,其直接带隙为3.55~3.75 eV,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,因此被广泛应用于半导体气体传感器中。本文总结了氧化铟对二氧化氮、丙酮、乙醇和氯气......
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