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[期刊论文] 作者：焦世龙,翁长羽,晋虎,,
来源：电子与封装 年份：2010
分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧...
[期刊论文] 作者：巨峰峰,姚伟明,翁长羽,刘道广,,
来源：半导体技术 年份：2012
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极...
[会议论文] 作者：刘桂友,许正荣,陈新宇,翁长羽,
来源：2006年中国通信集成电路技术与应用研讨会 年份：2006
利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特...
[期刊论文] 作者：谭德喜,巨峰峰,顾晓春,翁长羽,刘道广,,
来源：电子工艺技术 年份：2012
采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解...
[期刊论文] 作者：铁宏安,李拂晓,李向阳,冯晓辉,姚祥,魏倩,张斌,翁长羽,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
采用上海华虹NEC 0．35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明，在2．1GHz时，输入驻波比1．1，输出驻波比1．5，增益18dB，噪声系数2．7dB，P-1dB输出功率9dBm。......
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