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采用上海华虹NEC 0．35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明，在2．1GHz时，输入驻波比1．1，输出驻波比1．5，增益18dB，噪声系数2．7dB，P-1dB输出功率9dBm。
2．1GHz CMOS低噪声放大器
【摘 要】
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采用上海华虹NEC 0．35μm标准CMOS工艺进行RF CMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明，在2．1GHz时，输入驻波比1．1，输出驻波比1．5，增益18dB，噪声系数2．7dB，P-1dB输出功率9dBm。
【机 构】
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南京电子器件研究所,上海华虹NEC电子有限公司
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2008年2期
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