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[期刊论文] 作者：胡恒升,,
来源：创新科技 年份：2003
2000年末,财政部发布了新的《企业会计制度》,它突破了原有计划经济对我国会计核算制度的束缚,其所规定的会计核算与国际会计准则基本一致。其中,实质重于形式原则是此...
[学位论文] 作者：胡恒升,,
来源：中国科学院上海冶金研究所 年份：2000
本论文主要研究薄氧化硅的电性能行为和击穿机理。在不同电流密度下对不同氧化硅厚度和不同面积的MOS电容进行测量，根据测得的击穿电量Qbd、初始电压Vini以及测量过程中的电压...
[期刊论文] 作者：胡恒升,,
来源：创新科技 年份：2003
近几年来,会计信息失真问题引起了全社会的普遍关注,会计信息失真扰乱了市场经济秩序.破坏了企业社会形象,挫伤了广大投资者的积极性,使信息使用者产生了一种不信任的感觉.因...
[期刊论文] 作者：胡恒升,张敏,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为2000的MOS电容栅氧化硅...
[期刊论文] 作者：胡恒升,李文华,
来源：创新科技 年份：2003
人力资源会计的有关理论探讨一、人力资源会计的几个基本概念1.人力资源.在人力资源会计中是指企业或其它组织所拥有或能使用的各种具有劳动能力的人员,是将企业中人的因素资...
[期刊论文] 作者：胡恒升,张敏,
来源：电子学报 年份：2000
与时间相电介质击穿（ＴＤＤＢ）测量是评估工步于２０ｎｍ薄栅介质层质量的重要方法，氧化层击穿前，隧穿电子和空穴在氧化层中或界面产生陷阱、界面态，当陷阱密度超过临界平均值ρｂｄ时，发生击穿，，击穿电量......
[期刊论文] 作者：胡恒升,张敏,
来源：电子学报 年份：2000
本文阐述了反应离子刻蚀（ＲＩＥ）工艺过程中充电效应产生的机理，认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的，推导了等离子体充 流的表达式，并根据等离子体充电前后Ｑｂｄ值的差异计算了等离子体......
[期刊论文] 作者：胡恒升,张敏,林立谨,
来源：电子学报 年份：2000
与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临...
[期刊论文] 作者：姚峰英,胡恒升,张敏,
来源：电子学报 年份：2001
本文以高电场(＞11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时,还可以测量击...
[期刊论文] 作者：李文华,胡恒升,左素芬,
来源：财税与会计 年份：2003
内部审计是相对外部审计而言的。在我国，开展内部审计，实行内部审计制度，其目的在于加强部门和单位内部的管理和监督，维护财经法纪，改善经营管理，提高经济效益。内部审计作为我国审......
[期刊论文] 作者：胡恒升,高风娥,庞吉林,
来源：财税与会计 年份：2003
一、何谓会计信息规则性失真 我国的会计规则主要包括《企业会计制度》．《企业会计准则》、《会计法》等。会计信息规则性失真是指按照会计规则要求产生并披露出来的会计信息......
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