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[期刊论文] 作者：茅保华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文简述了金属-半导体欧姆接触的接触电阻和半导体内的扩展电阻的测量方法.金属在半无限大半导体上形成欧姆接触,其总电阻R_t包含接触电阻R_c、扩展电阻R_d和测量系统电阻R_...
[期刊论文] 作者：何江,茅保华,
来源：浙江预防医学 年份：1999
食用加碘盐是防治碘缺乏病最有效、经济、安全的措施。我市经过几年来推广食盐加碘防治碘缺乏病,取得了明显成效。根据《全国碘缺乏病防治监测方案》,自1996年起在市区开...
[期刊论文] 作者：何江,茅保华,
来源：浙江预防医学 年份：1999
食用加碘盐是防治碘缺乏病最有效、经济、安全的措施。我市经过几年来推广食盐加碘防治碘缺乏病,取得了明显成效。根据《全国碘缺乏病防治监测方案》,自1996年起在市区开展了...
[期刊论文] 作者：陈存礼,茅保华,
来源：半导体学报 年份：1989
用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_...
[期刊论文] 作者：夏先齐,茅保华,
来源：计算机自动测量与控制 年份：1999
针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ＡＧ的高灵敏度。......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,严海,茅保华,
来源：半导体学报 年份：1993
本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi2薄膜后,穿过TiSi2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P+-n结。TiSi2薄膜既...
[期刊论文] 作者：吴振江,张奕,茅保华,
来源：上海有色金属 年份：2005
用肖特基整流二极管势垒正向特性计算机回归分析法,可得到势垒高度、二极管串联电阻和理想因子等各种信息和有用数据,给肖特基二极管质量改进提供依据....
[期刊论文] 作者：茅保华,盛永喜,鲍希茂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述....
[期刊论文] 作者：盛永喜,茅保华,鲍希茂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造....
[期刊论文] 作者：李杰,王吉玲,陈奇峰,周临,茅保华,
来源：中国公共卫生管理 年份：2018
目的调查新碘盐标准实施对碘缺乏病防制效果影响,为今后制定防制策略提供依据。方法对新碘盐标准实施前后居民食用盐、8~10岁学生尿碘和甲状腺肿大率及孕妇尿碘进行监测,并对...
[期刊论文] 作者：王因生,盛文伟,张晓明,王晓雯,茅保华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
In this paper, we describe the design, fabrication and high frequency performance of an a-Si:H emitter heterojunction power transistor which operates with low...
[期刊论文] 作者：陈存礼,曹明珠,何胜龙,徐伟文,蒋宏伟,茅保华,
来源：半导体学报 年份：1989
用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_...
[期刊论文] 作者：朱兵,鲍希茂,李和生,潘茂洪,茅保华,盛永喜,
来源：半导体学报 年份：2004
利用CW-CO_2激光辐照代替热合金化,制成了良好的AuGeNi/n-InP和Au/AuGeNi/n-InP欧姆接触.由激光合金化获得的接触电阻率可与热合金化的最佳值相比.俄歇电子能谱分析表明,合金...
[期刊论文] 作者：施毅,刘建林,汪峰,张荣,韩平,顾树林,郑有,茅保华,
来源：高技术通讯 年份：1995
利用常规硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压ＣＶＤ生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了硅／二氧化硅异质界面结构超精细硅量子线。本项研究结果对开展低维量子......
[期刊论文] 作者：施毅,刘建林,汪峰,张荣,韩平,顾树林,郑有枓,茅保华,
来源：高技术通讯 年份：1995
利用常规硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压ＣＶＤ生长技术，成功地硅单晶衬底上制作了硅／二氧化硅异质界面结构超精细硅量子线。本项研究结果对开展低维量子结......
[期刊论文] 作者：陆阳,施毅,刘建林,汪峰,张荣,顾书林,郑有,茅保华,谢中华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得......
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,盛文伟,张晓明,汪建元,茅保华,朱恩均,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T...
[期刊论文] 作者：陆阳,施毅,刘建林,汪峰,张荣,顾书林,郑有炓,茅保华,谢中,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。...
[期刊论文] 作者：施毅,刘建林,汪峰,张荣,韩平,余是东,张学渊,顾书林,胡立群,茅保华,郑有,
来源：半导体学报 年份：1995
采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质......
[期刊论文] 作者：韩平,胡立群,王荣华,江若琏,顾书林,朱顺明,张荣,郑有炓,茅保华,傅义珠,汪建元,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京...
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