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[学位论文] 作者：董尧君,,
来源：苏州大学 年份：2015
2004年Geim等人首次通过机械剥离的方法在实验上制备出了石墨烯,它具有优异的机械、电学和热性能。由于其优越的电输运特性,例如很高的载流子速率和边缘磁性,二维的石墨烯和...
[学位论文] 作者：董尧君,,
来源： 年份：2012
随着MOSFETs的尺寸不断缩小，二氧化硅的厚度也随之不断减小，但当其物理厚度接近1nm时会有明显的量子遂穿效应。为了避免量子遂穿，需要使用高k材料来取代传统的SiO2栅介质，这样可......
[期刊论文] 作者：董尧君,余涛,金成刚,诸葛兰剑,,
来源：苏州大学学报(自然科学版) 年份：2012
利用双离子束沉积系统沉积了HfTaO薄膜,并研究了退火对HfTaO薄膜的结构和电学性质的影响.将HfTaO薄膜分别在900℃和1 000℃下进行真空退火.利用SEM,EDXS,XPS,XRD和AFM对退火...
[会议论文] 作者：翟明星,王雪峰,董尧君,刘玉申,
来源：第十二届全国计算(机)化学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：翟明星,刘玉申,王雪峰,董尧君,
来源：第十二届全国计算(机)化学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：翟明星,蒋超,董尧君,吴婷婷,王雪峰,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,我们系统地研究了石墨烯纳米带和类石墨烯材料如硅烯、石墨炔等纳米带中的非线性输运特性,以及掺杂和缺陷对边界态中电子输运的影响....
[期刊论文] 作者：陈息林,余涛,吴雪梅,董尧君,诸葛兰剑,,
来源：功能材料 年份：2011
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能...
[会议论文] 作者：董尧君,翟明星,周丽萍,韩琴,王雪峰,吴雪梅,伍建春,
来源：第十二届全国计算(机)化学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：董尧君,王雪峰,翟明星,伍建春,周丽萍,韩琴,吴雪梅,
来源：第十二届全国计算(机)化学学术会议 年份：2013
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