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[学位论文] 作者：蓝建春,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
本文主要以典型NMOSFET为对象，采用直接注入法，以微波对MOSFET辐照实验结果为基础，通过ISE-TCAD软件仿真平台，考虑了器件自热效应、载流子雪崩产生效应，建立了其在高功率微波(high......
[期刊论文] 作者：游海龙,蓝建春,范菊平,贾新章,查薇,,
来源：物理学报 年份：2012
高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场...
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