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[期刊论文] 作者：袁奇燕,徐重阳,
来源：液晶与显示 年份：1996
本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的......
[期刊论文] 作者：袁奇燕,徐重阳,张少强,邹雪城,
来源：液晶与显示 年份：1996
本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值分析结果．理论结果表明，ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料带隙中的局域......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,邹雪城,张少强,袁奇燕,丁晖,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ta－Si：HTFT电流－电压特性的解析......
[期刊论文] 作者：丁晖,徐重阳,邹雪城,张少强,戴永兵,袁奇燕,万新恒,
来源：微电子学 年份：1996
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵The infl......
[期刊论文] 作者：张少强, 徐重阳, 邹雪城, 周雪梅, 赵伯芳, 袁奇燕, 符晖,
来源：微电子学 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张少强, 徐重阳, 赵伯芳, 邹雪城, 符晖, 袁奇燕, 周雪梅,
来源：光电子技术 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张少强,徐重阳,赵伯芳,邹雪城,符晖,袁奇燕,周雪梅,王长安,
来源：光电子技术 年份：1995
实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。......
[期刊论文] 作者：张少强,徐重阳,邹雪城,周雪梅,赵伯芳,袁奇燕,符晖,王长安,
来源：微电子学 年份：1995
本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流......
[期刊论文] 作者：徐重阳,符晖,邹雪城,张少强,袁奇燕,周雪梅,赵伯芳,王长安,
来源：光电子技术 年份：1995
研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。The optimized design theory o...
[期刊论文] 作者：符晖,徐重阳,邹雪城,张少强,袁奇燕,赵伯芳,周雪梅,王长安,
来源：液晶通讯 年份：1995
本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。...
[期刊论文] 作者：徐重阳,丁晖,邹雪城,张少强,冯汉华,戴永兵,袁奇燕,万新恒,
来源：半导体技术 年份：1997
由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通......
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