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[期刊论文] 作者：裴风丽,陈炳若,陈长清,,
来源：半导体光电 年份：2006
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表...
[期刊论文] 作者：裴风丽,冯震,陈炳若,,
来源：半导体技术 年份：2007
从欧姆接触形成的机理出发，介绍了在AlGaN／GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法，如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。...
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