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[期刊论文] 作者：曾文明,詹千宝,
来源：上海有色金属 年份：1996
结晶三氯化铝经溶解，水解，胶溶制备了Ｂｏｅｈｍｉｔｅ溶胶，然后在石英玻璃上制备出表面光滑，平整，颗粒大小均匀的γ－ＡｌＯ３薄膜。ＤＴＡ分析表明，Ｂｏｅｈｍｉｔｅ凝胶膜２５８．７℃开始失水而转化为γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜。......
[会议论文] 作者：詹千宝,邱想得,
来源：96年全国冶金物理化学学术年会 年份：1996
利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和俄歇能谱（ＡＥＳ）研究了熔融碳酸盐燃料电池（ＭＣＦＣ）中碳酸盐对Ｆｅ的腐蚀情况。实验结果表明，在高温（１２２３Ｋ）空气条件下，（Ｌｉ＜，０．６２＞·Ｋ＜，０．３８＞＜，２＞ＣＯ＜，３＞与Ｆｅ形成Ｌｉ＜，２＞Ｆｅ＜，３＞Ｏ＜，４＞化合物，影响电池工作寿命。......
[期刊论文] 作者：严六明,詹千宝,
来源：中国稀土学报 年份：1994
用化学键参数法结合人工神经网络法总结含稀土金属间化合物的形成，结构，同分熔化或异分熔化类型及熔化温度的规律，并用交叉检验法验证人工神经网络模型，结果表明，人工神经网络能很......
[期刊论文] 作者：陈念贻,詹千宝,柳妙修,
来源：自然杂志 年份：1992
氧化铝生产烧结法熟料的标准配方规定CaO/SiO2=2,0,Na2O/（Al3O3+Fe2O3）一1.0。但我们用化学模式识别方法...
[期刊论文] 作者：严六明,詹千宝,钦佩,陈念贻,
来源：Journal of Rare Earths 年份：1994
ＹａｎＬｕ－Ｍｉｎｇ；（严六明）；ＺｈａｎＱｉａｎ－Ｂａｏ；（詹千宝）；ＱｉｎＰｅｉ；（钦佩）；ＣｈｅｎＮｉａｎ－Ｙｉ；（陈念贻）（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００５０.........
[期刊论文] 作者：严六明,詹千宝,钦佩,陈念贻,
来源：中国稀土学报 年份：1994
用化学键参数法结合人工神经网络法总结含稀土金属间化合物的形成、结构、同分熔化或异分熔化类型及熔化温度的规律，并用交叉检验法验证人工神经网络模型。结果表明，人工神经网......
[期刊论文] 作者：陈庆贵,史日华,邬华,詹千宝,
来源：传感器技术 年份：1987
在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上异质外延生长硅单晶膜(简称SOS),在集成电路上有着重要的应用。然而,这种SOS材料在敏感器件方面也有着广泛的应用。苏、美相继于七十年代末研制...
[期刊论文] 作者：府治平,吕东梁,詹千宝,周继程,
来源：金属学报 年份：1992
从GaAs中空穴陷阱A,B能级的结构缺陷模型与该二陷阱浓度和外延温度的关系导出了生成反应GaAsAsGa+(VGa)2-+e-...
[期刊论文] 作者：苏航,郭景康,詹千宝,陈念贻,
来源：材料研究学报 年份：1997
分类图是用于多变量数据分析中的一种独特手段。本文提出的“Ｆｐ映射”是一种基于模式识别判别分析的分类图构造方法，能直观地描述多变量空间中目标变量及其影响因素间的定性或半......
[期刊论文] 作者：朱建中,柳妙修,詹千宝,陈念贻,,
来源：计算机与应用化学 年份：1993
用模式识别总结联合法赤泥铁铝比等因素与最佳配方的关系,表明高铁原料宜用高钙低碱配方,根据无机热化学数据库估算有关烧成反应的自由能,对优化模型作了热力学解释。The r...
[期刊论文] 作者：莫培根,吴巨,李寿春,詹千宝,杨金华,
来源：半导体学报 年份：1986
由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔...
[期刊论文] 作者：张兆春,彭瑞伍,陈念贻,詹千宝,
来源：化学物理学报 年份：1998
稠环烃有机半导体的禁带宽度与其分子构型以及π电子数有关，将可表征分子几何结构特征的拓扑指数一顶点复杂度信息指数和π电子数作为人工神经网络的输入特征量，利用经已知样本......
[期刊论文] 作者：康德山,王学业,李重河,詹千宝,陈念贻,
来源：科学通报 年份：1995
在以前的工作中,我们曾用化学键参数与模式识别或人工神经网络相结合,总结MX-M′X_2和MX-M′X_3型卤化物系的中间化合物形成、化学配比和熔化类型(同分或异分熔化)的规律.最...
[期刊论文] 作者：康德山,王学业,李重河,詹千宝,陈念贻,
来源：Chinese Science Bulletin 年份：1995
In the previous work, we have studied the regularities of the formablity, the chemical composition and melting behavior(congruent or incongruent melting) of th...
[期刊论文] 作者：王学业,康德山,李重河,詹千宝,陈念贻,
来源：科学通报 年份：1996
运用热力学方法可根据二元熔盐相图估量三元熔盐相图。但当三元系形成二元系中不存在的三元化合物时,对未知三元相加系相图或三元互易系相图的热力学计算将遇到困难。本文报...
[期刊论文] 作者：王渭源,夏冠群,卢建国,詹千宝,杨新民,王文骐,
来源：半导体学报 年份：1982
本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器...
[期刊论文] 作者：詹千宝,李明,周继程,陈念贻,戚立宽,陈建棠,
来源：金属学报 年份：1993
用X射线衍射(XRD)和红外吸收光谱(IRS)研究了Ca_2SiO_4—NaFeO_2系的反应产物,证明其中含CaFe_2O_4和Na_4Ca_8(SiO_4)_5。热力学计算表明Ca_2SiO_4-NaFeO_2不是互易系的稳定...
[期刊论文] 作者：康德山,王学业,李重河,詹千宝,刘洪霖,陈念贻,
来源：化学学报 年份：1997
在运用化学键参数方法和模式识别或人工神经网络总结互作用三元系形成三元化合物规律的基础上,预报了Cs~+,Mn~(2+)CI~-,SO_4~(2-)系能形成三元化合物CsCI·MnSO_4.经实验合成...
[期刊论文] 作者：王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐,
来源：应用科学学报 年份：2004
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝...
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