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[学位论文] 作者：谢修华,,
来源： 年份：2014
MgZnO薄膜具有带隙可调范围宽（3.3eV至7.8eV可调），外延生长温度低，抗辐射能力强及其它优良的紫外光电性能，近年来成为了紫外探测领域的研究热点之一。然而，目前高Mg组分MgZnO基紫外......
[会议论文] 作者：李炳辉,谢修华,申德振,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：李炳辉,谢修华,申德振,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：谢修华,李炳辉,申德振,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：张振中,谢修华,陈洪宇,申德振,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：谢修华,张振中,单崇新,申德振,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
MgZnO合金薄膜以其优异的光电特性,如较大的可调带隙(3.3 eV至7.8 eV)1,较高的电子和漂移速率,较强的抗辐照能力等,在紫外光电探测领域受到越来越多的关注.通过对异质外延爱冲层的优化设计以及各生长参数的合理配置,目前MgZnO合金的组分调节已经克服固溶度和相......
[会议论文] 作者：胡光冲,单崇新,谢修华,申德振,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
发光波长在300nm以内的光源在食品消毒、临床诊断等方面有重要的应用.可是目前主要的这类光源主要是以氙灯、汞灯等为主,它们一般工作寿命短、稳定性和稳定性比较差.目前虽然GaN基宽禁带半导体材料在深紫外发光器件取得了显著进展,但是掺杂问题依然是其面临的重......
[期刊论文] 作者：李超群,张振中,陈洪宇,谢修华,申德振,
来源：发光学报 年份：2014
采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O∶Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性。随着Ga元素的摩尔分...
[期刊论文] 作者：李超群,张振中,谢修华,陈洪宇,申德振,
来源：发光学报 年份：2014
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位...
[期刊论文] 作者：李超群,张振中,谢修华,陈洪宇,申德振,
来源：发光学报 年份：2004
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在ZnO晶格中的替位掺...
[会议论文] 作者：谢修华,张振中,单崇新,陈洪宇,申德振,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：谢修华, 李炳辉, 张振中, 刘雷, 刘可为, 单崇新, 申,
来源：物理学报 年份：2019
宽禁带Ⅱ族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV, MgO 80 meV),较高的光学增益(ZnO 300 cm-1)以及较宽...
[会议论文] 作者：王双鹏,刘兴宇,单崇新,谢修华,申德振,范希武,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO因其高达60 meV的激子束缚能和3.37 eV的禁带宽度,被认为是实现低阈值蓝紫光受激发射的首选材料.近年来,一些研究小组已经在ZnO基异质结[1]、MOS结构[2]中观察到了电...
[期刊论文] 作者：谢修华,李炳辉,张振中,刘雷,刘可为,单崇新,申德振,,
来源：物理学报 年份：2019
宽禁带II族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV,MgO 80 meV),较高的光学增益(ZnO 300 cm–1)以及较宽...
[会议论文] 作者：杨珣,董林,单崇新,孙俊璐,张楠,王双鹏,姜明明,李炳辉,谢修华,申德振,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
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