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[会议论文] 作者：向贤碧,费雪英,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李标,向贤碧,许颖,费雪英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
报道了采用欠饱和溶液的回熔－－再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺，研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被......
[期刊论文] 作者：周滨,向贤碧,费雪英,许颖,
来源：太阳能学报 年份：1995
以太阳电池的短路电流积分表达式为依据，应用减反射膜的光学原理，对具有阳极氧化、ＳｉＯ和ＳｉＯ２三种减反射膜的ＡｌｘＧａ１－２Ａｓ／ＧａＡｓ太阳电池分别进行了反射光谱、短路电流、开路电压的实验测试。研究表明，阳极......
[期刊论文] 作者：范缇文,何宏家,白玉珂,费雪英,
来源：半导体学报 年份：1980
木文主要是利用透射电子显微镜对重掺Te GaAs的微缺陷作了观察,已发现此材料中有五类结构缺陷.用衬度分析技术鉴别层错缺陷属于非本征型的.Mu Wen mainly observed the mic...
[期刊论文] 作者：李标,向贤碧,游志朴,许颖,费雪英,
来源：半导体学报 年份：1995
用液相外延（ＬＰＥ）技术制备了全面积转换效率为１８．６５％（１．０８ｃｍ＾２，ＡＭ０，１ｓｕ）及１７．３３％（２×２ｃｍ＾２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ〉０．８）太阳电池，１ＭｅＶ电子辐照实验表明，浅结电池的抗辐照能力比深结的强，退火可以恢复辐照损伤。......
[期刊论文] 作者：何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,
来源：半导体学报 年份：1981
本文用化学腐蚀、阳极腐蚀法、光学显微镜和透射电子显微镜研究了水平生长的掺Te-GaAs单晶的微缺陷和微沉淀物.获得了微缺陷与位错的相对分布关系,发现这些缺陷及其存在形式...
[期刊论文] 作者：陈庭金,王海涛,扬民举,鞠定德,向贤碧,汪度,费雪英,
来源：云南师范大学学报：自然科学版 年份：1992
本文对P+-AlxGa1-xAs/P-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs太阳电池的光电流、暗电流、光谱响应和效率作了理论计算。研究了表面、界面复合速度、窗口层组分、表面层漂移场、各层的厚度、...
[期刊论文] 作者：何宏家, 曹福年, 范缇文, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲, 褚一,
来源：半导体学报 年份：1983
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[期刊论文] 作者：何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,褚一鸣,
来源：半导体学报 年份：1983
本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×1015cm-3时,...
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