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[学位论文] 作者：赵凯麟,,
来源：电子科技大学 年份：2015
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,因其优异的物理特性,使其能在高压、高温的环境下工作,极大地提高了现有能源的转换效率,不仅在传统工业领域,而且在太阳能、风能、混...
[会议论文] 作者：赵凯麟;户金豹;唐亚超;邓小川;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文主要研究对比了4H-SiC肖特基二极管(SBD)、4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)和4H-SiC PiN二极管三种结构的静态和动态特性,同时分析了温度对三种碳化硅器件反向恢复特性的...
[期刊论文] 作者：刘欣欣,王小平,王丽军,李怀辉,梅翠玉,刘晓菲,杨灿,梁鹏飞,卢炎聪,江振兴,赵凯麟,刘仁杰,,
来源：材料导报 年份：2011
石墨烯因其独特的结构和优异的性能,近年来已成为国内外研究的热点。主要介绍了石墨烯几种不同的制备方法,评述了这几种方法的特点及存在的问题,列举了石墨烯在晶体管、场发...
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