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[期刊论文] 作者：赵智彪,,
来源：集成电路应用 年份：2009
低压化学气相沉积（LPCVD）是化学气相沉积（CVD）的一个分支，同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化硅等......
[学位论文] 作者：赵智彪,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2002
本文研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其特性，并对相关器件工艺中的若干重要问题如刻蚀、欧姆接触等，进行了初步探索。在前人工作的基础上，进一步优化了......
[期刊论文] 作者：赵智彪,许志,利定东,
来源：半导体技术 年份：2004
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工...
[期刊论文] 作者：赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶...
[期刊论文] 作者：赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同Ga...
[期刊论文] 作者：李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖......
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