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[期刊论文] 作者：赵用中,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1982
硅外延工艺用SiCl_4原料以H_2作载体,在磨口石英反应器中进行.当尾气用水溶液鼓泡或塔器吸收时,因排气阻力和SiO_2堵塞,使外延系统压力上升,带来H_2泄漏或磨口冲出的危险,也...
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