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[学位论文] 作者：赵贞勇,
来源：中国科学院物理研究所 年份：1997
该论文以分子束外延(MBE)为主要实验手段,对Si/SiGe异质结及其器件进行垂直输运与平行输运两方面的研究....
[期刊论文] 作者：赵贞勇,黄绮,
来源：半导体技术 年份：1998
ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降，提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。...
[期刊论文] 作者：邹德恕,高国,陈建新,杜金玉,张京燕,沈光地,邓军,赵贞勇,黄绮,周钧铭,
来源：半导体技术 年份：1998
ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。The base impurity of SiGe / SiHBT expands ou......
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