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[学位论文] 作者:邓雪然,,
来源:电子科技大学 年份:2013
ZnO是一种被广泛关注的宽禁带半导体,在室温下,其禁带宽度为3.37eV,能量对应于光谱中的近紫外波段,可用来对该波段的辐射进行探测;激子束缚能60meV,可用于制备室温下的短波长激光器......
[期刊论文] 作者:韦敏,邓宏,邓雪然,,
来源:电子元件与材料 年份:2012
ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度约为3.37 eV,对应紫外波段的光子能量,且ZnO具有较高的化学和热稳定性,较强的抗辐射损伤能力,来源丰富,电子诱生缺陷...
[会议论文] 作者:邓宏,韦敏,邓雪然,
来源:第五届届全国氧化锌学术会议 年份:2011
作为一种有潜力的新型光电材料受到普遍关注,其中ZnO基三元化合物半导体材料对于带隙的调制极为重要,如MgxZn1-xO合金具有与纯ZnO相近的优异的光学和电学性能,并实现了带隙...
[期刊论文] 作者:邓雪然,邓宏,韦敏,陈金菊,,
来源:发光学报 年份:2010
采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明:在0.2Pa的额定压强下...
[会议论文] 作者:韦敏;李杰;邓雪然;邓宏;,
来源:四川省电子学会传感技术第11届学术年会 年份:2009
在硅衬底上磁控溅射制备 AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得MSM结构光电探测器。AZO合金薄膜对紫外和可见光有高于80%的透过率,随Al含量增加,光学吸收...
[期刊论文] 作者:韦敏,邓宏,邓雪然,陈金菊,,
来源:光电子.激光 年份:2011
在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属(MSM)结构光电探测器。采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性...
[期刊论文] 作者:杨胜辉,邓宏,韦敏,邓雪然,
来源:发光学报 年份:2014
为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能...
[期刊论文] 作者:邱文文,邓宏,邓雪然,姚建强,李觅,
来源:电子元件与材料 年份:2012
为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断......
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