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采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO：Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明：在0.2Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率（ρ）值越低。在纯氩气状态下溅射时,制得的薄膜具有最大的厚度值,约为2.06μm,并具有最强的XRD峰,ρ同时也达到最小值,阻值为2.66×10^-4Ω·cm。研究表明：结晶性能的提高对薄膜ρ的降低起到了关键作用,而厚度的增加也会使电阻率下降。