搜索筛选:
搜索耗时0.0866秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 34 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:邢怀中, 来源:兰州大学 年份:1995
[期刊论文] 作者:邵海洋, 邢怀中,, 来源:东华大学学报(自然科学版) 年份:2019
利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型。在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测器的表面漏电对器件暗电流、总电流、量子效...
[会议论文] 作者:郭程,邢怀中, 来源:第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 年份:2016
[期刊论文] 作者:孙家兆,邢怀中,, 来源:红外与毫米波学报 年份:2010
利用平面波展开方法研究了二维四方格子圆柱形介质光子晶体中线缺陷对光子禁带的影响.结果表明光子晶体中的缺陷层圆柱半径及缺陷层厚度对光子晶体禁带有显著影响.TE波的第一...
[期刊论文] 作者:李延龙,邢怀中, 来源:甘肃工业大学学报 年份:1998
提出了由三能级原子构成的非线性介质中双光子双光束光学双稳态的全量子分析,应用等效哈密顿量研究了两输出光束强度和强度差的涨落谱。结果表明,在适当的参量取值下,强度与强度......
[期刊论文] 作者:孙家兆,邢怀中,, 来源:光谱实验室 年份:2009
利用转移矩阵法研究了二维四方光子晶体中缺陷对透射光谱的影响。结果表明缺陷对TE波的影响比对TM波的影响明显,缺陷层填充比对禁带宽度影响很大,TE波禁带在填充比r/a=0.33时...
[期刊论文] 作者:詹亚歌,邢怀中, 来源:创新教育研究 年份:2021
随着新兴学科、交叉学科的不断出现,当今社会和科技发展越来越需要交叉型、复合型的优秀人才。工科类研究生需要满足社会和科技发展的这些需求,并符合国家重大发展战略工程的...
[会议论文] 作者:邢怀中,曾宜杰, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
  采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了不同掺杂浓度下的ZnSe/Si异质结纳米线结构的稳定性和电子性质,其主要结论如下:首先,文章构建了ZnSe/Si异质结纳米线模型,对含有......
[期刊论文] 作者:甘凯仙,王林,邢怀中, 来源:红外与毫米波学报 年份:2015
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μ...
[期刊论文] 作者:张会媛,邢怀中,张蕾,, 来源:红外与毫米波学报 年份:2012
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当...
[会议论文] 作者:张蕾,邢怀中,张会媛, 来源:第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010) 年份:2010
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为...
[会议论文] 作者:张会媛,邢怀中,张蕾, 来源:第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010) 年份:2010
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格常数明显减小,体系总能量降低,掺杂后带隙随...
[期刊论文] 作者:甘凯仙,王林,邢怀中,, 来源:红外与毫米波学报 年份:2015
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μ...
[会议论文] 作者:王捷吟,邢怀中,曾宜杰, 来源:第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份:2012
  利用场依赖的迁移率模型的二维数值模拟,对硼掺杂的纳米管MOSFET的输运特性进行了研究。研究结果表明B 掺杂浓度越高,导电性越好;这主要来源于高浓度的掺杂提高了导电的载...
[会议论文] 作者:李颂,邢怀中,黄燕,陈效双, 来源:第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 年份:2016
  本文利用第一性原理方法计算了边缘氢化和氟化的锯齿型GaN 纳米带(zGaNNRs)的电学和磁学特性。文中讨论五种氢化结构和四种氟化结构,不同的结构展现了不同的电学和磁学性...
[期刊论文] 作者:张力波,张传胜,王林,邢怀中, 来源:红外与毫米波学报 年份:2021
利用定点转移技术,制备出二维层状材料石墨烯-黑砷范德华异质结构的光电探测器制备,实现了从可见光-红外-微波的宽频段探测.其中在可见红外光辐射下,黑砷中产生的光激发电子-空穴对被分离并注入石墨烯,显著降低了半导体黑砷和金电极之间的势垒,从而实现了有效的......
[期刊论文] 作者:徐晓峰, 邢怀中, 杜西亮, 范滨,, 来源:光子学报 年份:2007
利用非均匀膜系理论对宽角度入射减偏振、减反射薄膜进行优化设计,分析了在宽角度入射的情况下,偏振光产生透过率不同的原因,选取了Na3 A1F6、Ta2O3和Al2O3三种不同折射率材料,采......
[期刊论文] 作者:梁源,邢怀中,晁明举,梁二军,, 来源:物理学报 年份:2014
用CO2激光烧结合成了负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3.实验表明,激光合成负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3属于快速合成技术,合成一个样品的时间仅需几秒到十几秒,具有...
[期刊论文] 作者:许鼎炀,韩利,邢怀中,褚君浩, 来源:红外与毫米波学报 年份:2021
磷烯因其层数可调的带隙、高的载流子迁移率及面内各向异性等优点为构建基于二维材料的光电子器件提供了新的选择。用时域有限差分法数值模拟了磷烯π型级联和紧凑结构中的等离激元诱导透明现象,通过改变结构分布及磷烯的费米能级等参数,实现了中红外到远红外的......
[会议论文] 作者:解瑞宽,邢怀中,黄燕,陈效双, 来源:第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 年份:2016
相关搜索: